科技成果

科技成果

当前位置: 首页 > 成果供需 > 科技成果 > 正文

无短路损耗的CMOS缓冲器驱动电路

来源: 日期:2011-06-28阅读:

本发明涉及一种无短路损耗的CMOS缓冲器驱动电路,所述的CMOS缓冲器由两个或以上的 N型MOS管和P型MOS管互补控制构成本级缓冲器;驱动电路由三级、5个CMOS缓冲器组成;将三级CMOS缓冲器初级与控制逻辑电路输出连接,末级与功率电路中功率半导体开关器件控制端连接,在开关变换器功率半导体开关器件与控制逻辑电路之间通过CMOS缓冲器构成的驱动电路实现控制逻辑弱电信号与功率电路强电状态的转换。本发明的创新点是:在开关变换器功率半导体开关器件与控制逻辑电路之间,建立了一个具有无短路损耗、高效率的强弱电接口和驱动方法。

专利号:200810070893.1

版权所有 © 福州大学·科技开发部 ICP备案号:闽ICP备07037484号