化学学院孙建军

项目简介：随着芯片集成度的逐年提高，摩尔定律所定义的尺寸已接近其极限。通过三维封装技术从纵向提高芯片的集成度就显得越来越重要。维叠片封装技术，是目前集成堆栈密度最高的芯片封装形式。该项技术的关键制程在于通过电沉积技术将铜无缝隙填充在硅基底的有底孔中，再通过CMP形成铜柱填充的硅通孔(TSV，或称TSV贯通电极）。技术指标：（1）TSV无缝隙电沉积填充深宽比范围1:2至1:10；（2）沉积金属Cu,可扩展至其它金属或合金。合作方式可面谈。

应用领域：先进电子封装领域

合作方式：协商